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El IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) es un dispositivo semiconductor que combina las mejores características de los transistores MOSFET y BJT. Su estructura única le permite manejar altas corrientes y tensiones con una eficiencia superior. Veamos en detalle cómo está construido y cómo funciona: Estructura del IGBT
Características. Sección de un IGBT. El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
El IGBT se considera un transistor Darlington híbrido. Tiene muy buena capacidad de manejo de corriente, pero no requiere corriente de base para entrar en conducción. Utilizado para conmutación de sistemas de alta tensión.
IGBT es una forma abreviada de Transistor Bipolar de Puerta Aisladacombinación de Transistor de unión bipolar (BJT) y Transistor de efecto de campo de óxido metálico (MOS-FET). Es un dispositivo semiconductor utilizado para cambiar aplicaciones relacionadas.
The IGBT combines an isolated-gate FET for the control input and a bipolar power transistor as a switch in a single device. The IGBT is used in medium to high-power applications like switched-mode power supplies, traction motor control and induction heating.
Insulated Gate Bipolar Transistor. The IGBT is a power switching transistor which combines the advantages of MOSFETs and BJTs for use in power supply and motor control circuits. The Insulated Gate Bipolar Transistor also called an IGBT for short, is something of a cross between a conventional Bipolar Junction Transistor, (BJT) and a Field ...
21 de ago. de 2023 · Description. An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a solid state switch that is used in many industrial and automotive applications, as well as home appliances. Because of the bipolar transistor structure, it can handle extremely high current current, and is tolerant to spikes and overloads.
