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Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector - Emitter Voltage BC556 BC557 BC558 VCEO −65 −45 −30 Vdc Collector - Base Voltage BC556 BC557 BC558 VCBO −80 −50 −30 Vdc Emitter - Base Voltage VEBO −5.0 Vdc
Polaridad de transistor: PNP. ESPECIFICACIONES MÁXIMAS. Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W. Tensión colector-base (Vcb): 50 V. Tensión colector-emisor (Vce): 45 V. Tensión emisor-base (Veb): 5 V. Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A. Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS.
26 de oct. de 2017 · The BC557 is a versatile PNP bipolar junction transistor widely used in electronic circuits. With its low noise and high current gain, it's ideal for applications requiring amplification, switching, or voltage regulation.
BC557 Transistor BJT PNP -45V / -100mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 500mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o ...
El BC557B PNP es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para aplicaciones lineales y de conmutación.
Bipolar junction transistor featuring high current, low saturation voltage and high-speed switching.
Características del transistor BC557. Tipo: PNP. Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V. Tensión Máxima Colector-Base: -50 V. Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V. Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A. Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W. Ganancia de corriente continua (h fe ): 110 a 800. Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz.
